在信息時(shí)代的飛速發(fā)展中，海量數(shù)據(jù)的處理不僅對(duì)于芯片算力提出越來(lái)越高的要求，不斷累積的數(shù)據(jù)也需要更大、更快、延時(shí)更低的存儲(chǔ)介質(zhì)。電子工業(yè)中氪氙氣體主要用于3D NAND存儲(chǔ)器高深寬比刻蝕工藝，從而實(shí)現(xiàn)多層堆疊結(jié)構(gòu)。預(yù)計(jì)2025年全球電子級(jí)稀氪氖氙氣體用量將增加至850ML，較2020年增長(zhǎng)29%。
激光氣體主要用于電子工業(yè)中激光退火和光刻氣。光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，光刻定義了晶體管尺寸，光刻產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展是光刻機(jī)突破關(guān)鍵。與之配套的光刻膠、光刻氣體、光罩等半導(dǎo)體材料和涂膠顯影設(shè)備等都擁有較高的科技含量。光刻氣體是光刻機(jī)產(chǎn)生深紫外激光的氣體。不同的光刻氣體能產(chǎn)生不同波長(zhǎng)的光源，其波長(zhǎng)直接影響了光刻機(jī)的分辨率，是光刻機(jī)的核心之一。
由于手機(jī)屏幕創(chuàng)新和應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)張，低溫多晶硅市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大，激光退火工藝顯著提高了TFT的性能。制造半導(dǎo)體的ArF準(zhǔn)分子激光使用的氖、氟、氬氣體中，氖氣占激光氣體混合物的96%以上。隨著半導(dǎo)體工藝的精細(xì)化，準(zhǔn)分子激光的使用量有所增加，加之雙重曝光技術(shù)的引入，ArF準(zhǔn)分子激光消耗的氖氣需求劇增。得益于電子特種氣體國(guó)產(chǎn)化的推動(dòng)，未來(lái)，國(guó)內(nèi)廠商有較好的市場(chǎng)成長(zhǎng)空間。
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