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(電子級)99.999%二氧化碳,你能為半導(dǎo)體制造做什么?

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時間:2023-08-26 10:27:42【
(電子級)99.999%二氧化碳,你能為半導(dǎo)體制造做什么?

二氧化碳1



半導(dǎo)體工業(yè)中,高純(電子級)二氧化碳主要用于清洗技術(shù)和沉浸式光刻技術(shù)。隨著Fab廠制成

的清洗程序變多,未來中國高純(電子級)二氧化碳需求也將增大。芯片清洗,曾經(jīng)只是簡單地

將芯片浸入清洗液中。但從FinFET開始,再到GAA結(jié)構(gòu),以及先進的DRAM和3D-NAND,清洗

技術(shù)已經(jīng)進入到了第三個階段,現(xiàn)在正在成為半導(dǎo)體先進制程的最主要挑戰(zhàn)之一。高純(電子級)

二氧化碳,你能為半導(dǎo)體制造做什么?


高純二氧化碳用于高深寬比溝槽和微孔清洗

超臨界二氧化碳清洗技術(shù),用于清洗高深寬比的半導(dǎo)體集成電路的溝槽和微孔的清洗工藝,采

用超臨界二氧化碳脈沖,即在二氧化碳臨界點附近周期性地改變壓力,使二氧化碳在超臨界區(qū)

和亞臨界區(qū)周期性擺動,利用二氧化碳在臨界點附近微小的壓力改變即可產(chǎn)生較大密度變化的

性質(zhì),去除溝槽和微孔中的微粒。


超臨界清洗是用超臨界二氧化碳清洗半導(dǎo)體器件,該技術(shù)是可以將損壞降至最低的下一代技術(shù)。

氣體圈子的某位專家曾參與過我國超臨界二氧化碳清洗半導(dǎo)體設(shè)備的高壓釜的設(shè)計。根據(jù)目前

公開的二氧化碳超臨界流體半導(dǎo)體清洗技術(shù)專利,我國現(xiàn)有技術(shù)主要還是對硅片表面的微細結(jié)

構(gòu)進行有效清洗,很少涉及半導(dǎo)體器件微觀結(jié)構(gòu)的清洗技術(shù)。日本東電電子(TEL)在公開演

講中曾分享過半導(dǎo)體超臨界設(shè)備和圖案無塌陷干燥技術(shù)相關(guān)信息。

精確配制-01


高純二氧化碳用于浸沒式光刻技術(shù)

浸沒式光刻技術(shù)也稱為浸入式光刻技術(shù)。一般特指193nm浸入式光刻技術(shù)。通過在光刻機投影

物鏡最后一個透鏡下表面與硅片光刻膠之間充滿高折射率的液體(如去離子水),進一步提高了

光刻分辨率,打破光源波長瓶頸。去離子水經(jīng)過進一步去雜質(zhì)、去氣泡、恒溫之后流入曝光頭,

填充在晶圓與透鏡之間,然后流出光刻機。高純二氧化碳用于保證液體不從側(cè)面泄露出去。


高純二氧化碳用于第三代半導(dǎo)體

二氧化碳源頭廠家-01


碳化硅和二氧化硅之間的界面質(zhì)量會對碳化硅場效應(yīng)晶體管的性能產(chǎn)生限制。西安交通大學(xué)和

西安電子科技大學(xué)的研究人員稱,這種不足可以通過超臨界二氧化碳處理來解決,超臨界二氧

化碳處理可以降低界面態(tài)密度。團隊的發(fā)言人告訴《化合物半導(dǎo)體》,在傳統(tǒng)的碳化硅場效應(yīng)

晶體管中,界面不能通過高溫退火來優(yōu)化,因為這會產(chǎn)生碳簇和其他缺陷。用較低溫度的超臨

界二氧化碳處理可消除這些缺陷的形成,該處理可保證較高的載流子遷移率,較低的泄漏電流

以及能提高柵極氧化物的臨界擊穿電場。


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