半導(dǎo)體行業(yè)的氣體秘密：外延生長(zhǎng)與成膜技術(shù)  

1、外延（生長(zhǎng)）混合物：在半導(dǎo)體工業(yè)中，在精心選擇的襯底上選擇化學(xué)氣相淀積的方法。

生長(zhǎng)一層或多層材料所用的氣體稱為外延氣體。常用的硅外延氣體包括二氯二氫硅（DCS）

、四氯化硅(SiCl4)和硅烷。主要用于外延硅積累、氧化硅膜積累、氮化硅膜積累、太陽(yáng)能電

池等光感受器的非晶硅膜積累。外延是一種單晶材料在襯底表面積累和生長(zhǎng)的過(guò)程。
2、化學(xué)氣相積累（CVD）用混合氣：CVD是利用揮發(fā)性化合物，通過(guò)氣相化學(xué)反應(yīng)淀積某

種單質(zhì)和化合物的一種方法，即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜方法。依據(jù)成膜種類，使用的

化學(xué)氣相積累（CVD）氣體也有所不同。
3、混合混合氣體：在半導(dǎo)體設(shè)備和集成電路制造中，進(jìn)口電子氣體和微信號(hào)bluceren咨詢。

將一些雜質(zhì)混合到半導(dǎo)體材料中，使材料具有所需的導(dǎo)電類型和一定的電阻率，以制造電阻

和PN結(jié)、埋層等?；旌线^(guò)程中使用的氣體稱為混合氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、

五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。混合源通常與運(yùn)輸氣體（如氬氣和

氮?dú)猓┗旌显谠垂裰??；旌虾螅瑲饬鬟B續(xù)注入擴(kuò)散爐，環(huán)繞晶片，混合劑沉積在晶片表面，

然后與硅反應(yīng)產(chǎn)生混合金屬，遷移到硅中。
4、蝕刻混合物：蝕刻是蝕刻基板上的加工表面（如金屬膜、氧化硅膜等。)，并保存光刻膠

覆蓋的區(qū)域，以獲得基板表面所需的成像圖形。蝕刻方法包括濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。

干法化學(xué)蝕刻所用的氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常是氟化物氣體（鹵化物），如四氟化

碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。