六氟化硫是一種絕緣性極佳的氣體，經(jīng)常被用于高壓滅弧以及變電器、高壓傳輸線、互感器等當(dāng)中。但是六氟化硫除了這些功能以外，也可以作為電子蝕刻劑使用。電子級高純六氟化硫是一種理想的電子蝕刻劑，被大量應(yīng)用于微電子技術(shù)領(lǐng)域。今天紐瑞德特氣小編月月就為大家介紹一下六氟化硫在氮化硅蝕刻中的應(yīng)用和不同參數(shù)的影響吧。

  我們探討SF6電漿蝕刻SiNx製程，包括改變電漿功率、SF6/He的氣體配比并加入陰電性氣體O2，探討其對TFT之元件保護(hù)層SiNx的蝕刻速率的影響，并利用電漿放射光譜儀對SF6/He、SF6/He/O2電漿中各物種濃度變化及SF6解離率進(jìn)行分析，探討SiNx蝕刻速率之變化與電漿物種濃度之關(guān)連性。

  研究發(fā)現(xiàn)，提高電漿功率時(shí)，蝕刻速率隨之上升；若增加電漿中SF6的流量，則F原子濃度增加且與蝕刻速率成正相關(guān)。另在總流量固定下添加陰電性氣體O2后，則會(huì)產(chǎn)生增加蝕刻速率的效果，但在不同的O2/SF6流量配比下，則會(huì)有不同的反應(yīng)機(jī)構(gòu)，可分成三部分：(1)O2/SF6流量配比值很小時(shí)，O2可幫助SF6的解離，此時(shí)蝕刻速率比未添加O2時(shí)為大。(2)當(dāng)O2/SF6流量配比值大于0.2到趨近于1的區(qū)間時(shí)，此時(shí)因SF6大量解離形成F原子，故蝕刻速率是最高的；但同時(shí)電漿中O原子也在增加且易與SiNx膜面形成SiOx或SiNxO(y-x)，而O原子增加愈多則使F原子愈不易進(jìn)行蝕刻反應(yīng)，故O2/SF6比值接近1時(shí)蝕刻速率開始趨緩。(3)當(dāng)O2/SF6配比值大于1時(shí)，蝕刻速率下降。因O2大量增加，解離的F原子與O2發(fā)生碰撞并形成OF，降低F原子濃度，而導(dǎo)致蝕刻速率的降低。由此中可知，當(dāng)添加O2后，O2/SF6的流量比值=0.2~0.8之間，可得到最佳的蝕刻速率。

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