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: 氙氣在芯片制造業(yè)中前途不可估量！

氙氣在電子芯片制造業(yè)中的最新使用氙氣作為稀有氣體，目前國(guó)內(nèi)產(chǎn)量較低。跟著科技的開展，氙氣的使用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，首要使用于電光源、醫(yī)療、科研、航空航天等。近年來(lái)，氙氣就被廣泛使用于電子芯片制造業(yè)，這也是目前氙需求增加及對(duì)氙投機(jī)生意的最重要原因。多家大型芯片制造商正使用氙氣等離子蝕刻，首要用于微電子機(jī)械系統(tǒng)（ MEMS ）的制造。MEMS 設(shè) 備可將微電子和微機(jī)械集成為一個(gè)全體，能在一塊芯片上制作更復(fù)雜及成效更強(qiáng)的電路。這種技術(shù)從根本上把電腦芯片（處理數(shù)據(jù)）和傳感器（搜集數(shù)據(jù)）結(jié)合到一個(gè)元件上，能夠批量出產(chǎn)，這
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: 一個(gè)氙氣燈的發(fā)展歷程

氙氣燈是指內(nèi)部充滿包括氙氣在內(nèi)的惰性氣體混合體，其發(fā)光原理是通過啟動(dòng)器和電子鎮(zhèn)流器，將電壓提高至23000V以上高壓擊穿氙氣從而導(dǎo)致氙氣在兩個(gè)電極之間形成電弧并發(fā)光。說起氙氣燈，它的起源可以追溯到20世紀(jì)30年代，美國(guó)工程師艾哲頓發(fā)明了氙氣閃光燈。20世紀(jì)40年代初，聯(lián)邦德國(guó)奧斯蘭公司發(fā)展研究中心實(shí)驗(yàn)室率先研究了稀有氣體短弧光源的特性，經(jīng)過多年的研制和改進(jìn)，于1951年正式向市場(chǎng)推出超高壓短弧氙氣燈。1954年，在聯(lián)邦德國(guó)科隆世界照明和電影博覽會(huì)上，專業(yè)制造光學(xué)系統(tǒng)、工業(yè)測(cè)量?jī)x器和醫(yī)療設(shè)備的蔡司
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: 氦氣質(zhì)譜檢漏儀粗漏與細(xì)漏檢測(cè)方法

為了實(shí)現(xiàn)對(duì)電子元器件更高密封嚴(yán)密性的檢測(cè)，自21世紀(jì)開端的幾年，國(guó)際上開端出現(xiàn)新型的堆集氦氣質(zhì)譜檢漏儀。這種儀器采用了深冷泵和四極質(zhì)譜倍增器。深冷泵內(nèi)腔溫度可降至20K（-253℃），能夠有用吸收氫氦以外的各種氣體。使用這種儀器，能夠進(jìn)行粗漏和細(xì)漏的組合檢測(cè)。粗漏檢測(cè)以氦氣為示蹤氣體，預(yù)充氦或壓氦的粗漏被檢件，在空氣中經(jīng)一段時(shí)間的貯存候檢，內(nèi)部的氦氣分氣壓PHe應(yīng)等于或高于正?？諝庵械暮夥謿鈮篜He0。設(shè)粗漏檢測(cè)拒收的等效規(guī)范漏率判據(jù)為L(zhǎng)0，按分子流氣體交流（走漏）形式，在真空下檢測(cè)的粗漏氦氣丈量漏率判據(jù)
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: 2019年電子氣體、標(biāo)準(zhǔn)氣體、高純氣體的發(fā)展現(xiàn)狀

隨著近年來(lái)國(guó)防工業(yè)、科學(xué)研究、自動(dòng)化技術(shù)、精密檢測(cè)，特別是微電子技術(shù)的發(fā)展，特種氣體行業(yè)新興起來(lái)。特種氣體是工業(yè)氣體中的一個(gè)新興門類，從應(yīng)用領(lǐng)域劃分，主要有電子氣體、高純氣體、標(biāo)準(zhǔn)氣體三大類。近年來(lái)，隨著下游應(yīng)用領(lǐng)域的逐步擴(kuò)展，特種氣體的品種也與日俱增，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，我國(guó)已有的特種氣體達(dá)260余種。隨著非低溫氣體分離技術(shù)（吸附、膜分離）、混配技術(shù)和提純技術(shù)的發(fā)展，更多的特種氣體產(chǎn)品將逐步走向市場(chǎng)。電子氣體主要分為氫化物（超純氫、硅烷、磷烷等
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: 六氟化硫造影劑的優(yōu)點(diǎn)

六氟化硫是一種無(wú)色、無(wú)臭、無(wú)毒、不燃的惰性氣體，SF6是強(qiáng)電負(fù)性氣體，它的分子極易吸附自由電子而形成質(zhì)量大的負(fù)離子，削弱氣體中碰撞電離過程，因此其電氣絕緣強(qiáng)度很高，在均勻電場(chǎng)中約為空氣絕緣強(qiáng)度的2.5倍。SF6氣體在t≈2000K時(shí)出現(xiàn)熱分解高峰，因此在交流電弧電流過零時(shí)，SF6對(duì)弧道的冷卻作用比空氣強(qiáng)得多，其滅弧能力約為空氣的100倍。由于SF6氣體具有優(yōu)良的滅弧性能和絕緣性能以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性，它從20世紀(jì)50年代末開始被用作高壓斷路器的滅弧介質(zhì)。在超高壓和特高壓斷路器中，SF6作為滅弧介質(zhì)，已取
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: 四氟化碳、三氟甲烷、六氟丁二烯電子行業(yè)中重要的蝕刻氣體

蝕刻是電子行業(yè)重要工藝，蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、全氟丁二烯、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。作為新一代環(huán)保電子氣體，電子級(jí)C4F6成為集成電路IC芯片等制造時(shí)必不可少的刻蝕氣體，其GWP值簡(jiǎn)直為0，而且能完結(jié)納米級(jí)溝槽的加工，成為電子工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)一把神奇的“刻刀”，比γ刀還γ！ 2015年，浙化院特種氣體研發(fā)團(tuán)隊(duì)提出自主開發(fā)新一代含氟電子氣體C4F6的提純技能。今天紐小編就帶大家一起看看C4F6是怎樣
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: 電子氣體中金屬雜質(zhì)的分析方法綜述

一、原子吸收光譜(AAS) 原子吸收光譜法是基于待測(cè)元素的基態(tài)原子蒸汽對(duì)其特征譜線的吸收，由譜線的特征性和信號(hào)強(qiáng)度對(duì)待測(cè)元素進(jìn)行定性和定量分析的一種常用分析方法。該分析方法主要有四種類型：火焰原子吸收光譜分析法、石墨爐原子吸收光譜分析法、蒸汽發(fā)生原子吸收光譜分析法和流動(dòng)注射原子吸收光譜分析法。其中，以前兩種分析方法最為常用。原子吸收光譜法可以測(cè)定元素周期表中的大多數(shù)金屬和非金屬元素，火焰原子吸收法對(duì)大多數(shù)金屬元素的相對(duì)靈敏度為10−10~10&min
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: 第十五屆“中國(guó)光谷”國(guó)際光電子博覽會(huì)暨論壇盛大開幕，特種氣體迎來(lái)新機(jī)遇！

11月14日，光電核心領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新產(chǎn)品的第十五屆“中國(guó)光谷”國(guó)際光電子博覽會(huì)暨論壇（簡(jiǎn)稱光博會(huì)）在中國(guó)光谷科技會(huì)展中心盛大開幕。展會(huì)為期三天，首日觀展人數(shù)超萬(wàn)人。大會(huì)由工業(yè)和信息化部、科技部、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局、中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)貿(mào)促會(huì)、湖北省人民政府聯(lián)合主辦，武漢市政府、武漢東湖高新區(qū)等單位共同承辦。本屆光博會(huì)以“光聯(lián)萬(wàn)物，智引未來(lái)”為主題，以“聚全球資源，建世界光谷”為目標(biāo)，共規(guī)劃6個(gè)展館，
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: 臺(tái)大疑似砷化氫外泄，砷化氫泄漏究竟該怎么辦呢？

據(jù)臺(tái)灣“中時(shí)電子報(bào)”報(bào)道，11月5日上午10時(shí)許，國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)電機(jī)系二館驚傳疑似砷化氫的不明氣體外泄，由于適逢期中考，校方緊急疏散師生，11人預(yù)防性送到醫(yī)院檢查。臺(tái)灣網(wǎng)友指出，氣體是從4樓外泄，出事的實(shí)驗(yàn)室是做半導(dǎo)體的，這種氣體廣泛用在制造GaAs這種半導(dǎo)體上面，其本身是無(wú)色無(wú)臭氣體，易燃且極毒。報(bào)道說，詳細(xì)情況及出事原因到底為何，仍有待進(jìn)一步了解。在半導(dǎo)體中應(yīng)用,砷烷用于半導(dǎo)體工業(yè)中外延硅的n型摻雜；硅中n型擴(kuò)散；離子注入；生長(zhǎng)砷化鎵(GaAs)、磷
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: 電子氣體國(guó)產(chǎn)化，為何難以實(shí)現(xiàn)？

廣義的“電子氣體”指電子工業(yè)生產(chǎn)中使用的氣體，是重要原材料之一；狹義的“電子氣體”特指半導(dǎo)體行業(yè)用的氣體。電子氣體在電子產(chǎn)品制程工藝中廣泛應(yīng)用于薄膜、蝕刻、摻雜等工藝，被稱為半導(dǎo)體、平面顯示等材料的“糧食”和“源”。在硅片制造廠，一個(gè)硅片需要兩到三個(gè)月的工藝流程，完成450道或更多的工藝步驟才能得到有各種電路圖案的芯片。這個(gè)過程包括外延、成膜、摻雜、蝕刻、清洗、封裝等諸多工序，需要的高純電子化學(xué)氣體及
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