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氦氣在地球的哪些地方存在，氦氣是怎樣形成的？
氦是人類已知的第二種輕氣體，僅次于氫。但氦的許多應(yīng)用，無論是在科學(xué)領(lǐng)域還是非科學(xué)領(lǐng)域，都是有益和實用的。氦比空氣輕得多，是一種惰性氣體，這意味著它在與空氣和明火接觸時不會燃燒，而與氫接觸時則不會燃燒。 （這對那些想要在生日派對上放氣球的孩子來說不是好消息！） 除了液氦比空氣輕之外，液氦在科學(xué)中的作用也是令人難以置信的。沸點為4開爾文的液氦被用來冷卻地球上一些最強大的電磁鐵，包括費米實驗室和大型強子對撞機（LHC）。它是人類已知的第一種超流體，因為這種液體具有一些有趣的性質(zhì)，包括完全沒有粘度。一旦你讓更多 +
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惰性稀有氣體在霓虹燈管內(nèi)的作用
霓虹燈可分為兩類：填充惰性氣體的燈和填充氬汞氣體并在管內(nèi)壁涂有熒光粉的燈。放電過程中前者輻射原子的特征光譜；后者通過在放電過程中激發(fā)汞原子產(chǎn)生253.7 nm紫外光子輻射，這些紫外光子刺激熒光粉形成量子轉(zhuǎn)換并發(fā)光。 僅使用填充惰性氣體的燈型，惰性氣體的主要功能如下： 1.參與原子的受激發(fā)射，例如充滿氖的霓虹燈發(fā)射紅色光譜； 2.有效維持放電過程，防止電子自由程過大，使自由電子在激發(fā)和電離過程發(fā)生之前自然消失； 3.控制電子遷移率，即控制放電管的電導(dǎo)率，以確定氖管中的電場強度，并使氖管的電壓降；更多 +
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關(guān)于鹵鎢燈小常識
電光源主要分為兩類：氣體放電燈和熱輻射燈。 所謂熱輻射光源是將鎢絲（或其他金屬絲）加熱到非常高的溫度，使鎢絲發(fā)光。這是我們通常使用的燈泡。在電光源中，流過鎢絲的電流越大，鎢絲的溫度越高，將每瓦特電能轉(zhuǎn)換為光的效率也越高。白熾燈使用了很長時間后，我們注意到燈的內(nèi)壁變黑了。這些黑色物質(zhì)是燈絲中的鎢原子蒸發(fā)并附著在燈內(nèi)壁的結(jié)果。鎢原子蒸發(fā)，鎢絲變薄。很長一段時間后，燈絲斷了，燈泡也熄滅了。為了防止鎢原子蒸發(fā)并延長燈泡的壽命，科學(xué)家們找到了許多方法。例如，用惰性氣體填充燈泡將在一定程度上延遲鎢原子的蒸發(fā)?，F(xiàn)在更多 +
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準分子激光材料加工--打孔
在材料加工中，鉆孔是激光在工業(yè)中最早的應(yīng)用之一。當時使用紅寶石激光器是因為它們具有敏銳的啟動特性。目前，脈沖Nd:YAG激光器主要用于大量鉆井作業(yè)。 作為一種合適的技術(shù)，激光鉆孔主要用于鉆取薄膜冷卻孔。它用于鉆削燃氣輪機部件，如葉片、葉片、燃燒室、加力燃燒室和其他部件，如燃油柴油發(fā)動機噴油器和金屬絲擠壓用硬模具。盡管激光鉆孔速度很快，但它仍然必須與電火花加工（EDM）技術(shù)競爭，因為旋轉(zhuǎn)空心電極和直線電機高壓供油技術(shù)的發(fā)展大大提高了EDM的鉆孔速度，即從質(zhì)量角度來看，該加工技術(shù)的性能優(yōu)于激光打孔。更多 +
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氙氣Xe-氪氣-Kr-鹵素氣體--電光源照明混合氣
電光源分類 光源可分為自然光源和人工光源。就人造光源而言，以電的形式發(fā)光的光源統(tǒng)稱為電光源。根據(jù)電能轉(zhuǎn)化為光能的不同形式，電光源可分為以下幾類：氣體放電光源、熱輻射光源、固體光源和激光光源。前三種光源屬于非相干光源，激光光源屬于一種新型相干光源。光源研究是一門特殊的技術(shù)學(xué)科，包括光學(xué)、原子物理、電真空和色度學(xué)等多個學(xué)科。本工作主要針對氣體放電光源和電光源用混合氣體，其他類型的電光源僅作簡要介紹。 1.1氣體放電光源 氣體放電光源是放置在氣體中的兩個電極之間以發(fā)光的光源。氣體放電光源因其高輸出光而得更多 +
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氦氣He冷機“當代冰蓄低溫工程最佳冷源方式”
空調(diào)已經(jīng)被人們廣泛使用和深入使用。隨著社會的發(fā)展和科學(xué)技術(shù)的進步，人們對能源消費提出了更高的要求。如何選擇冰蓄冷空調(diào)和使用冰箱已成為當前科學(xué)研究的重要課題。使用綠色制冷劑，如氦氣、冰箱、溴機和無氯電動制冷螺桿機，已從倡導(dǎo)迅速演變?yōu)榫o迫性和必然性。 “氦氣機”蓄冰低溫區(qū)域冷卻和低溫送風(fēng)空調(diào)的優(yōu)點： 1.“氦氣發(fā)動機”使用氦氣作為制冷劑，這是一個不錯的選擇，因為氦氣是一種純天然無污染的綠色制冷劑，不會造成空氣污染或溫室效應(yīng)。 2.氦機冷卻廣泛應(yīng)用于深冷領(lǐng)更多 +
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三氯氫硅還原法制取高純硅的化學(xué)原理
SiHCl3的合成 第一步：由硅石制取粗硅 硅石（SiO2）和適量的焦炭混合，并在電爐內(nèi)加熱至1600~1800℃ 可制得純度為95%~99%的粗硅。其反應(yīng)式如下： SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑ 2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑ 總反應(yīng)式： SiO2+2C=Si+2CO（g）↑ 生成的硅由電爐底部放出，澆鑄成錠。用此法生產(chǎn)的粗硅經(jīng)酸處理后，其純度可達到99.9%。 第二步：SiHCl3的合成 SiHCl3是由干燥的氯化氫氣體和粗硅粉在合成更多 +
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硅烷熱分解法制取高純硅的化學(xué)原理
在高純硅的制備方法中，熱分解法SiH4具有廣闊的應(yīng)用前景。該方法的整個過程可分為三個部分：SiH4的合成、提純和熱分解。 （1） SiH4的合成 桂花鎂熱分解制備SiH4是工業(yè)上廣泛使用的方法。硅化鎂（Mg2Si）是由硅粉和鎂粉在500～550℃的氫氣（真空或氬氣）中混合而成。反應(yīng)式如下： 2Mg+Si=Mg2Si 然后硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應(yīng)生成SiH4。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑ 液氨不僅是介質(zhì)，還更多 +
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四氯化硅氫還原法制取高純硅的化學(xué)原理
工業(yè)粗硅氯化生產(chǎn)四氯化硅 目前，四氯化硅的工業(yè)處理工藝一般為直接氯化工藝，即工業(yè)粗硅在加熱條件下與氯直接反應(yīng)生成四氯化硅。在工業(yè)上常用的不銹鋼（或石英）氯化爐中，硅鐵被裝入氯化爐。氯從氯化爐底部引入，當加熱到200~300℃時，反應(yīng)開始產(chǎn)生SiCl4?；瘜W(xué)反應(yīng)如下： Si-2Cl2、SiCl4 生成的SiCl4以氣體狀態(tài)從熔爐上部轉(zhuǎn)移到電容器，以液體狀態(tài)冷卻，然后流入儲罐。 在生產(chǎn)中，氯化溫度一般控制在450～500℃，一方面可以提高生產(chǎn)率，另一方面可以保證質(zhì)量。因為溫度低時反應(yīng)速度慢，副產(chǎn)物S更多 +
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液壓氣體組成架構(gòu)
系統(tǒng)組成：動力元件（油泵）、執(zhí)行機構(gòu)（油缸或液壓馬達）、控制元件（各種閥門）、輔助元件和工作介質(zhì)。 1.動力元件（油泵）用于將驅(qū)動器的機械能轉(zhuǎn)換為液壓能；它是液壓傳動的動力部分。 2.執(zhí)行機構(gòu)（油缸、液壓馬達）將液體的液壓能轉(zhuǎn)換為機械能。油缸筆直移動，發(fā)動機旋轉(zhuǎn)。 3.工作介質(zhì)工作介質(zhì)是指各種液壓傳動中的液壓油或乳化液，通過油泵和液壓馬達實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換。 4.控制裝置包括壓力閥、流量閥、換向閥等。其功能是根據(jù)需要不斷調(diào)整液壓伺服電機的速度，并調(diào)節(jié)和控制液壓系統(tǒng)中工作流體的壓力、流量和流向。更多 +
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