根據(jù)不同用途又可以將電子混合氣體分為：晶體生長氣、熱氧化氣、外延氣、摻雜氣、擴(kuò)散氣、化學(xué)氣相淀積氣、噴射氣、離子注入氣、等離子蝕刻氣、載氣/吹洗氣、光刻氣、退火氣、焊接氣、燒結(jié)氣和平衡氣等。

 

運(yùn)用最多，最為常見的是一下5類電子混合氣體：

 

1、摻雜混合氣體

 

在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中，將某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi)，使材料具有所需要的導(dǎo)電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN 結(jié)、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運(yùn)載氣體（如氬氣和氮?dú)猓┰谠垂裰谢旌希旌虾髿饬鬟B續(xù)注入擴(kuò)散爐內(nèi)并環(huán)繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進(jìn)而與硅反應(yīng)生成摻雜金屬而徙動(dòng)進(jìn)入硅。

 

2、外延生長混合氣體

 

外延生長是一種單晶材料淀積并生產(chǎn)在襯底表面上的過程，在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽能電池和其他光感器的非晶硅膜淀積等。

 

3、離子注入氣體

 

在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中，離子注入工藝所用的氣體統(tǒng)稱為離子注入氣，它是把離子化的雜質(zhì)（如硼、磷、砷等離子）加速到高能級狀態(tài)，然后注入到預(yù)定的襯底上。離子注入技術(shù)在控制閥值電壓方面應(yīng)用得最為廣泛。注入的雜質(zhì)量可以通過測量離子束電流而求得。離子注入氣體通常指磷系、砷系和硼系氣體

 

4、蝕刻混合氣體

 

蝕刻就是將基片上無光刻膠掩蔽的加工表面（如金屬膜、氧化硅膜等）蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來，以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。

 

干法化學(xué)蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體（鹵化物類），例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

 

5、化學(xué)氣相淀積混合氣體

 

化學(xué)氣相淀積混合氣體（CVD）是利用揮發(fā)性化合物，通過氣相化學(xué)反應(yīng)淀積某種單質(zhì)或化合物的一種方法，即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜方法。依據(jù)成膜種類，使用的化學(xué)氣相淀積（CVD）氣體也不相同。

 

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