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二氯硅烷H2Cl2Si化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)MSDS
二氯硅烷H2Cl2Si化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)MSDS 二氯硅烷,二氯硅烷氣體,二氯硅烷標(biāo)準(zhǔn)氣體,二氯硅烷混合氣體 一、標(biāo)識(shí)中文名稱(chēng)：二氯硅烷msds英文名稱(chēng)：dichlorosilane分子式：SiH2Cl2分子量：101.01二、 成分/組成信息有害成分：二氯硅烷濃度：CAS NO.：4109-96-0三、危險(xiǎn)性概述危險(xiǎn)性類(lèi)別：侵入途徑： 健康危害：對(duì)上下呼吸道、皮膚和眼睛有腐蝕性和刺激性。本品遇水或空氣中的水份迅速水解形成氯化氫（鹽酸）。鹽 酸可致皮膚灼傷和粘膜刺激。接更多 +
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氣體在半導(dǎo)體外延中起到的作用
外延生長(zhǎng)本質(zhì)上是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。用于硅外延生長(zhǎng)的主要?dú)怏w源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經(jīng)常被用作氣體源以降低生長(zhǎng)溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長(zhǎng)條件和規(guī)格，其中生長(zhǎng)溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長(zhǎng)速率和生長(zhǎng)溫度之間的關(guān)系。 顯示了兩個(gè)不同的增長(zhǎng)區(qū)域。在低溫區(qū)域（區(qū)域A）中，硅外延層的生長(zhǎng)速率與溫度成指數(shù)關(guān)系，這意味著它們由表面反應(yīng)控制；在高溫范圍（區(qū)域B），生長(zhǎng)速率與溫度幾乎沒(méi)有直接關(guān)系，表明它們受質(zhì)量傳輸更多 +
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